Статья 'Моделирование процесса ионной имплантации металлической наночастицы в диэлектрической матрице ' - журнал 'Электроника и электротехника' - NotaBene.ru
по
Меню журнала
> Архив номеров > Рубрики > О журнале > Авторы > О журнале > Требования к статьям > Порядок рецензирования статей > Ретракция статей > Этические принципы > Политика открытого доступа > Оплата за публикации в открытом доступе > Online First Pre-Publication > Политика авторских прав и лицензий > Политика цифрового хранения публикации > Политика идентификации статей > Политика проверки на плагиат > Редакционный совет > Редакция
Журналы индексируются
Реквизиты журнала
Публикация за 72 часа - теперь это реальность!
При необходимости издательство предоставляет авторам услугу сверхсрочной полноценной публикации. Уже через 72 часа статья появляется в числе опубликованных на сайте издательства с DOI и номерами страниц.
По первому требованию предоставляем все подтверждающие публикацию документы!
ГЛАВНАЯ > Вернуться к содержанию
Электроника и электротехника
Правильная ссылка на статью:

Моделирование процесса ионной имплантации металлической наночастицы в диэлектрической матрице

Мустафаев Гасан Абакарович

доктор технических наук

профессор, ФГБОУ ВО "Кабардино-Балкарский государственный университет"

360004, Россия, Республика Кабардино-Балкарская, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173, каб. 122

Mustafaev Gasan Abakarovich

Doctor of Technical Science

Professor, Department of Computer Technologies and Integrated Circuits, Kabardino-Balkarian State University

360004, Russia, respublika Kabardino-Balkarskaya, g. Nal'chik, ul. Chernyshevskogo, 173, kab. 122

arslan_mustafaev@hotmail.com
Другие публикации этого автора
 

 
Панченко Валерий Александрович

кандидат технических наук

доцент, ФГБОУ ВО "Кабардино-Балкарский государственный университет"

360004, Россия, Республика Кабардино-Балкарская, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173, оф. 122

Panchenko Valerii Aleksandrovich

PhD in Technical Science

Associate Professor at Kabardino-Balkarian State University

360004, Russia, the Kabardino-Balkar Republic, Nalchik, ul. Chernyshevskogo, 173, of. 122

Panchenko@mail.cos
Другие публикации этого автора
 

 
Черкесова Наталья Васильевна

кандидат технических наук

доцент, ФГБОУ ВО "Кабардино-Балкарский государственный университет"

360004, Россия, Республика Кабардино-Балкарская, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173, оф. 122

Cherkesova Natal'ya Vasil'evna

PhD in Technical Science

Associate Professor at Kabardino-Balkarian State University

360004, Russia, the Kabardino-Balkar Republic, Nalchik, ul. Chernyshevskogo, 173, of. 122

natasha07_2002@mail.ru
Другие публикации этого автора
 

 
Мустафаев Арслан Гасанович

доктор технических наук

профессор, ГАОУ ВО "Дагестанский государственный университет народного хозяйства"

367015, Россия, Республика Дагестан, г. Махачкала, ул. Атаева, 5, каб. 4.5

Mustafaev Arslan Gasanovich

Doctor of Technical Science

Professor of the Department "Information technologies and information security" of the Dagestan State University of National Economy

367015, Russia, respublika Dagestan, g. Makhachkala, ul. Ataeva, 5, kab. 4.5

arslan_mustafaev@hotmail.com
Другие публикации этого автора
 

 

DOI:

10.7256/2453-8884.2018.4.28448

Дата направления статьи в редакцию:

19-12-2018


Дата публикации:

02-02-2019


Аннотация.

Наибольшие успехи ионной имплантации были достигнуты в области планарной технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Большое развитие получили технологии создания приборов с элементами наночастиц, в том числе, активной областью которых являются металлические наночастицы в диэлектрической матрице.Целью работы является моделирование процесса ионной имплантации структуры, состоящей из наночастиц золота в матрице диоксида кремния и расчеты распределения легирующих ионов, каскадов смещенных ионов матрицы и наночастицы, а также распределения ионов, отраженных от наночастицы. Условия имплантации изменяются в зависимости от положения проекции точки на поверхности структуры на горизонтальный радиус наночастицы от центра до периферии. Составлена физическая модель процесса ионной имплантации наночастицы золота, находящейся в матрице диоксида кремния. Проведено моделирование процесса ионного легирования структуры ионами бора и мышьяка для различных сечений и получены графики распределения легирующих ионов, атомов отдачи, отраженных и распыленных ионов в зависимости от координаты от центра наночастицы.

Ключевые слова: ионная имплантация, интегральная схема, технология полупроводников, моделирование, диоксид кремния, наночастица, монокристаллический кремний, профиль распределения, энергия ионов, отраженные ионы

Abstract.

The greatest success of ion implantation has been achieved in the field of planar technology of semiconductor devices and integrated circuits. The development of devices with elements of nanoparticles, including the active region of which are metal nanoparticles in a dielectric matrix, has been greatly developed. The aim of the work is to simulate the process of ion implantation of a structure consisting of gold nanoparticles in a silicon dioxide matrix and calculations of the distribution of doping ions, cascades of displaced matrix ions and nanoparticles, as well as the distribution of ions reflected from the nanoparticles. The implantation conditions vary depending on the position of the projection of a point on the surface of the structure on the horizontal radius of the nanoparticle from the center to the periphery. A physical model of the process of ion implantation of gold nanoparticles located in a silicon dioxide matrix has been compiled. The process of ionic doping of the structure with boron and arsenic ions was simulated for different cross sections, and graphs of the distribution of doping ions, recoil atoms, reflected and sputtered ions were obtained depending on the coordinate from the center of the nanoparticle.

Keywords:

monocrystalline silicon, nanoparticle, silicon dioxide, modeling, semiconductor technology, integrated circuit, ion implantation, distribution profile, ion energy, reflected ions

Наибольшие успехи ионной имплантации были достигнуты в области планарной технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Большое развитие получили технологии создания приборов с элементами наночастиц, в том числе, активной областью которых являются металлические наночастицы в диэлектрической матрице.

Целью работы является моделирование процесса ионной имплантации структуры, состоящей из наночастиц золота в матрице диоксида кремния и расчеты распределения легирующих ионов, каскадов смещенных ионов матрицы и наночастицы, а также распределения ионов, отраженных от наночастицы.

Моделирование процесса ионной имплантации металлической наночастицы в диэлектрической матрице будем проводить с использованием физической модели (рис. 1). На подложке монокристаллического кремния располагается металлическая наночастица (Au) сферической формы, радиусом R, на половину заглубленная в Si, находящаяся под слоем диоксида кремния, толщина которого над центром наночастицы равна Н. Пучок ионов направлен перпендикулярно поверхности структуры.

1_02

Рис. 1. Физическая модель для расчета параметров процесса ионной имплантации

Очевидно, что условия имплантации изменяются в зависимости от положения проекции точки на поверхности структуры на горизонтальный радиус наночастицы от центра до периферии [1, 2]. Для точки, находящейся над вертикальным диаметром наночастицы (в ее центре) необходимо рассматривать процесс имплантации трехслойной структуры SiO2 – Au – Si. Для точки структуры находящейся за пределами наночастицы имплантируемая структура состоит из слоев SiO2– Si. Для промежуточных точек в зависимости от расстояния от центра наночастицы изменяются толщина слоя окисла и слоя металла, а также угол между направлением ионного пучка и поверхностью металла.

Таким образом, результаты процесса имплантации будут зависеть от положения точки, в которой рассматривается процесс имплантации на горизонтальном радиусе наночастицы.

Исходные данные для моделирования процесса имплантации SRIM были вычислены с помощью программы, составленной в математическом пакете Matchcad.

Вычисленные таким образом параметры процесса имплантации для ионов бора и мышьяка при Н = 25 нм; R= 25 нм представлены в таблице 1.

Таблица 1.

Предварительные параметры моделирования процесса имплантации структуры

Координата, нм

Толщина окисла, нм

Толщина металла, нм

Угол падения ионов, град

0

0

25

50

0

1

6,47

25,85

48,297

15

2

12,5

28,349

43,301

30

3

19,2

33,989

32,022

50

4

23,5

41,47

17,06

70

5

24,65

45,83

8,337

80

6

24,99

49,29

1,414

88,379

Вычисленные параметры справедливы как в случае имплантации структуры ионами бора, так и ионами мышьяка.

Необходимо отметить, что программа моделирования имплантации SRIM моделирует процессы для ионов, бомбардирующих поверхность в точке начала координат [3, 4]. Поэтому процесс моделирования проводился последовательно для всех точек координат из таблицы 1, а затем строился суммарный профиль. Кроме того, реальный пробег ионов в диоксиде кремния равен расстоянию от поверхности структуры до поверхности металлической наночастицы. Однако, при моделировании имплантации под углом к поверхности структуры пробег ионов в SiO2 увеличивается пропорционально косинусу угла падения ионов. Поэтому в исходные данные для моделирования были внесены поправки на толщину слоя диоксида кремния.

Моделирование процессов имплантации наночастицы золота в матрице SiO2 выполнялось для ионов бора и мышьяка. Энергия ионов выбиралась из того, чтобы пик максимальной концентрации примеси при имплантации структуры SiO2-Au-Si при максимальной толщине золота (50 нм) и угле падения ионов 0о располагался вблизи границы Au-Si. Предварительные расчеты показали, что такое условие выполняется для бора при энергии 20 кэВ, для ионов мышьяка при энергии 110 кэВ. Проводился ряд последовательных процессов моделирования с изменением параметров слоев и угла падения ионов, соответствующих точкам на горизонтальном радиусе наночастицы согласно таблице 1 и схемы, представленной на рис. 2.

2_02

Рис. 2. Схематическое изображение структуры для моделирования процессов имплантации. Вертикальными линиями показаны сечения, в которых рассчитывались параметры процесса имплантации бора и мышьяка

В результате моделирования получены численные значения параметров распределения бомбардирующих ионов, атомов отдачи, распыленных ионов, построены одномерные и трехмерные профили распределения этих параметров, треки частиц, вычислены потери энергии на ионизацию и ряд других параметров [5, 6]. На рис. 3 в качестве примера приведены результаты моделирования легирования структуры ионами бора для сечения 0.

3_01

Рис. 3. Расчетные параметры процесса имплантации бора в центре структуры (сечение 0) и трек частиц (а1), распределение ионов бора (а2), трехмерный профиль распределения ионов (в1), трехмерный профиль ионизационных потерь (а2), распределение распыленных ионов (б2), трехмерный профиль атомов отдачи (в2)

На рис. 4 приведены результаты моделирования легирования структуры ионами мышьяка для сечения 6.

4_01

Рис. 4. Расчетные параметры процесса имплантации мышьяка в сечении 6 и трек частиц (а1), распределение ионов бора (а2), трехмерный профиль распределения ионов (в1), трехмерный профиль ионизационных потерь (а2), распределение распыленных ионов (б2), трехмерный профиль атомов отдачи (в2)

Результаты расчетов для всех процессов имплантации сведены в таблицу 2.

Таблица 2.

Расчетные значения параметров процессов имплантации структуры

Тип иона

№ сечения

Отраж. ионы, 10-3

Rp, нм

⩟Rp, нм

Ионизационные потери, %

Распыленные ионы, ат/ион

Si

O

Au

В

0

129

41,8

21,4

51,18

0,342

0,592

0

В

1

122

41,4

21,3

50,75

0,326

0,626

0

В

2

109

40,2

21,6

50,30

0,359

0,644

0

В

3

88

36,3

20,6

47,41

0,487

0,865

0

В

4

242

34,0

18,9

46,44

1,52

2,62

0

В

5

411

31,5

19,5

46,96

2,73

4,74

0

В

6

704

31,0

19,2

50,90

2,73

4,62

0

As

0

6

38,7

19,9

8,45

2,01

3,37

1 10-3

As

1

7

38,4

13,8

8,49

2,11

3,93

2 10-3

As

2

3

37,9

14,5

8,68

2,85

4,97

0

As

3

6

35,7

13,0

9,06

5,48

9,18

1 10-3

As

4

82

26,4

13,7

9,83

13,46

23,19

0

As

5

275

19,5

12,4

10,96

23,05

39,82

0

As

6

610

16,0

11,6

12,78

20,68

35,63

0

As

7

0

75,2

24,0

9,32

1,51

2,74

0

Как видно из результатов, представленных в таблице 2 в случае имплантации структуры с наночастицей золота ионами бора около половины первоначальной энергии ионов расходуется на процессы ионизации атомов структуры. Для ионов мышьяка потери энергии на ионизацию составляют около 10 %. Как для процессов имплантации бора, так и при имплантации ионами мышьяка наблюдается смещение максимума распределения ионов ближе к поверхности структуры в зависимости от расстояния от центра наночастицы [7, 8]. Причем смещение максимума происходит в то время, как уменьшается эффективная толщина наночастицы. Сказанное иллюстрируется рис. 5, построенным по результатам, приведенным в таблице 2.

5_01

Рис. 5. Глубина залегания максимума распределения бора и мышьяка в зависимости от расстояния от центра наночастицы

По-видимому, это связано с возрастанием вероятности отражения как бомбардирующих ионов, так и атомов отдачи от верхней поверхности наночастицы [9, 10]. Справедливость этого утверждения подтверждается зависимостями, приведенными на рис. 6. Из рис. 6 видно, что на краях наночастицы число отраженных ионов достаточно резко возрастает, особенно в случае имплантации структуры ионами бора.

На рис. 7 представлены зависимости числа распыленных ионов кремния и кислорода (из слоя SiO2) при имплантации ионами бора и мышьяка от координаты от центра наночастицы к периферии. Более интенсивное распыление поверхности окисла наблюдается в случае имплантации ионами мышьяка, причем в области края наночастицы. Так атомы кислорода имеют меньшую атомную массу по сравнению с кремнием и в составе окисла их приблизительно в два раза больше, то наблюдается преимущественное распыление атомов кислорода по сравнению с атомами кремния.

6_01

Рис. 6. Зависимость числа отраженных ионов при имплантации бора и мышьяка от координаты от центра наночастицы

7

Рис. 7. Зависимость числа распыленных ионов кремния и кислорода в расчете на один атом бора и мышьяка от координаты от центра наночастицы

По данным, представленным в таблице 2 можно сделать вывод, что при имплантации структуры ионами мышьяка наблюдается слабое распыление верхней границы наночастицы. В случае большой дозы ионов мышьяка распыление наночастицы может стать существенным, что будет приводить к изменению её геометрической формы.

Таким образом, численные эксперименты показывают, что при имплантации металлических наноструктур находящихся в диэлектрической матрице возникают сложные и многообразные физические эффекты, связанные с процессами отражения ионов и атомов отдачи от слоев металла, распылением поверхности матрицы и верхней поверхности наночастицы и экранирующим действием наноструктуры, которые необходимо учитывать при разработке технологии ионного легирования нанокомпозитных материалов.

Выводы

Составлена физическая модель процесса ионной имплантации наночастицы золота, находящейся в матрице диоксида кремния. Проведено моделирование процесса ионного легирования структуры ионами бора и мышьяка для различных сечений и получены графики распределения легирующих ионов, атомов отдачи, отраженных и распыленных ионов в зависимости от координаты от центра наночастицы. Проведены численные расчеты параметров процессов имплантации и построены основные зависимости профилей распределения легирующих ионов, отраженных и распыленных ионов вдоль радиуса наночастицы.

Библиография
1.
Панченко В.А., Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г. Компьютерное моделирование многобарьерных проводниковых структур // В сборнике: Современные проблемы физики и технологий VI Международная молодежная научная школа-конференция, посвященная 75-летию НИЯУ МИФИ и 95-летию академика Н.Г. Басова. 2017. С. 149-150.
2.
Boubaaya M., Hadj Larbi F., Oussalah S. Simulation of ion implantation for CMOS 1µm using SILVACO tools // 2012 24th International Conference on Microelectronics (ICM), 2012, pp. 1-4.
3.
Мустафаев Г.А., Панченко В.А., Хасанов А.И., Мустафаев А.Г., Калинина Н.В. Моделирование параметров границы раздела графен-гексагональный нитрид бора // Вестник Академии наук Чеченской Республики. 2017. № 1 (34). С. 22-27.
4.
Morris S.J., Obradovic B., Yang S., Tasch A.F. Modeling of boron, phosphorus, and arsenic implants into single-crystal silicon over a wide energy range (few keV to several MeV) // International Electron Devices Meeting. Technical Digest, San Francisco, CA, USA, 1996, pp. 721-724.
5.
Chang R., Lin P. Simulation Study of Implantation Angle Variation and Its Impact on Device Performance // 2016 21st International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2016, pp. 1-4.
6.
Spratt J.P., Burke E.A., Pickel J.C., Leadon R.E. Modeling high-energy heavy-ion damage in silicon // IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 48, no. 6, pp. 2136-2139, 2001.
7.
Krylova E. V., Ovchinnikov V. V., Belova I. M. Distribution model of introduced by ion implantation into metal targets // 2016 XIX IEEE International Conference on Soft Computing and Measurements (SCM), 2016, pp. 129-130.
8.
Yang S.-H., Morris S.J., Tian S., Parab K.B., Tasch A.F. Monte Carlo simulation of arsenic ion implantation in (100) single-crystal silicon // IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, vol. 9, no. 1, pp. 49-58, 1996.
9.
Schmidt A. et al. Compact process model of temperature dependent amorphization induced by ion implantation // 2010 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2010, pp. 197-200.
Litovko I. V., Gushenets V. I., Oks E. M. Computer simulation for ion sources optimization // 2008 IEEE 35th International Conference on Plasma Science, 2008, pp. 1-1.
10.
Wittmann R., Hossinger A., Cervenka J., Uppal S., Selberherr S. Monte Carlo Simulation of Boron Implantation into (100) Germanium // 2006 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2006, pp. 381-384.
References (transliterated)
1.
Panchenko V.A., Mustafaev G.A., Cherkesova N.V., Mustafaev A.G. Komp'yuternoe modelirovanie mnogobar'ernykh provodnikovykh struktur // V sbornike: Sovremennye problemy fiziki i tekhnologii VI Mezhdunarodnaya molodezhnaya nauchnaya shkola-konferentsiya, posvyashchennaya 75-letiyu NIYaU MIFI i 95-letiyu akademika N.G. Basova. 2017. S. 149-150.
2.
Boubaaya M., Hadj Larbi F., Oussalah S. Simulation of ion implantation for CMOS 1µm using SILVACO tools // 2012 24th International Conference on Microelectronics (ICM), 2012, pp. 1-4.
3.
Mustafaev G.A., Panchenko V.A., Khasanov A.I., Mustafaev A.G., Kalinina N.V. Modelirovanie parametrov granitsy razdela grafen-geksagonal'nyi nitrid bora // Vestnik Akademii nauk Chechenskoi Respubliki. 2017. № 1 (34). S. 22-27.
4.
Morris S.J., Obradovic B., Yang S., Tasch A.F. Modeling of boron, phosphorus, and arsenic implants into single-crystal silicon over a wide energy range (few keV to several MeV) // International Electron Devices Meeting. Technical Digest, San Francisco, CA, USA, 1996, pp. 721-724.
5.
Chang R., Lin P. Simulation Study of Implantation Angle Variation and Its Impact on Device Performance // 2016 21st International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2016, pp. 1-4.
6.
Spratt J.P., Burke E.A., Pickel J.C., Leadon R.E. Modeling high-energy heavy-ion damage in silicon // IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 48, no. 6, pp. 2136-2139, 2001.
7.
Krylova E. V., Ovchinnikov V. V., Belova I. M. Distribution model of introduced by ion implantation into metal targets // 2016 XIX IEEE International Conference on Soft Computing and Measurements (SCM), 2016, pp. 129-130.
8.
Yang S.-H., Morris S.J., Tian S., Parab K.B., Tasch A.F. Monte Carlo simulation of arsenic ion implantation in (100) single-crystal silicon // IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, vol. 9, no. 1, pp. 49-58, 1996.
9.
Schmidt A. et al. Compact process model of temperature dependent amorphization induced by ion implantation // 2010 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2010, pp. 197-200.
Litovko I. V., Gushenets V. I., Oks E. M. Computer simulation for ion sources optimization // 2008 IEEE 35th International Conference on Plasma Science, 2008, pp. 1-1.
10.
Wittmann R., Hossinger A., Cervenka J., Uppal S., Selberherr S. Monte Carlo Simulation of Boron Implantation into (100) Germanium // 2006 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2006, pp. 381-384.
Ссылка на эту статью

Просто выделите и скопируйте ссылку на эту статью в буфер обмена. Вы можете также попробовать найти похожие статьи


Другие сайты издательства:
Официальный сайт издательства NotaBene / Aurora Group s.r.o.
Сайт исторического журнала "History Illustrated"