по
Электроника и электротехника
18+
Меню журнала
> Архив номеров > Рубрики > О журнале > Авторы > Требования к статьям > Порядок рецензирования статей > Ретракция статей > Этические принципы > Правовая информация > Редакционный совет > Редакция > Аннотация журнала
Журналы индексируются
Реквизиты журнала
ГЛАВНАЯ > Журнал "Электроника и электротехника" > Рубрика "Физика"
Физика
Босый С.И., Буйло С.И. - О синхронизации термического анализа с акустической эмиссией и электрометрией c. 1-20

DOI:
10.7256/2453-8884.2016.1.21026

Аннотация: Авторы рассматривают методологию синхронизации методов и средств термического анализа с методом и средствами акустической эмиссии и электрометрии. Показано, что в результате предлагаемого комплексирования появляется возможность, во-первых, получения многопараметрической вектор-функции жизненного цикла исследуемого вещества или материала, а во-вторых, вычисления параметров их "старения", т. к. в отличие от существующих установок, предложено использовать термо-баро-циклирование исследуемых образцов, что ускоряет деградацию их свойств, аналогично процессам эксплуатации. Предлагаемая методология комплексирования методов и средств термического анализа с методом и средствами акустической эмиссии (АЭ) и электрометрии "породила" новый метод - термобароденсиметрии. Новизна предлагаемого подхода защищена двумя патентами РФ на изобретение. При этом основным решением, реализующим синхронизацию указанных методов, является расчет и создание тигля термо-электро-дилатометра (ТЭД) на термоакустическом шток-волноводе (ТАШВ), который позволил вынести чувствительные АЭ-датчики из зоны высоких температур и давлений.
Апарцев О.Р. - Термоэлектрические кулеры и тепловые процессы в терминах SPICE-моделирования c. 1-12

DOI:
10.7256/2453-8884.2017.2.21379

Аннотация: Предметом исследования явилась адаптация SPICE- подобных программ симуляции электрических цепей и тепловых процессов одновременно на примере термоэлементов Пельтье . Несмотря на кажущуюся простоту такого физического объекта, практика показывает, что управление этим устройством требует реализации сложного алгоритма, т .к. ток термоэлектрического модуля, являясь единственным непосредственно управляемым параметром, задает сложную функцию воздействия на работу всего устройства, что проявляется при совместном решении инженерных задач повышения качества термостабилизации и энергоэффективности. В последнее время разработка электронных устройств всё чаще производится при помощи программ компьютерной симуляции, но, распространения этого программного инструментария на инженерные объекты сложной физической природы, до настоящего времени не произошло. В данной работе предпринята попытка объединения методов электронной симуляции с рассмотрением объектов не электрической природы, т. е. предложена компьютерная модель термоэлектрического преобразователя, основанного на эффекте Пельтье. Тепловая часть симуляционной модели строится на использовании принципа электростатической аналогии с конверсией тепловых величин в электрические. При этом тепловая часть устройства разбивается на элементы подобные электрическим - с построением тепловых цепей.Представленные SPICE-модели термоэлектрического кулера и термостата позволяют эффективно проводить динамический анализ тепловых и электрических параметров большого спектра устройств, содержащих, как внутренние, так и пограничные источники тепла и холода, в том числе – тепловые насосы, использующие различные физические принципы. Получено хорошее совпадение симуляционных результатов с экспериментальными данными, что позволяет использовать разработанную модель для обратной задачи – анализа электрического генератора, основанного на эффекте Зеебека.
Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Черкесова Н.В. - Надежность интегральных микросхем с алюминиевой металлизацией c. 1-6

DOI:
10.7256/2453-8884.2017.3.23345

Аннотация: Алюминий и его сплавы является основным материалом металлизации интегральных схем и с переходом к сверхбольшим интегральным схемам ужесточаются требования, предъявляемые к параметрам металлизации, определяющим ее надежность, таким, как контактное сопротивление, качество покрытия ступеньки, число и размеры пустот, обусловленных напряжениями, и устойчивость к электромиграции. Плохое качество металлизации - один из опаснейших дефектов в полупроводниковой технологии интегральных схем. Электромиграция может привести к отказу при пропускании через металлизацию тока высокой плотности. Были проведены эксперименты для проверки материалов, связанных с оценкой интенсивности изменения сопротивления металлизации из-за электромиграции. Результаты экспериментов дают основание заключить, что геометрические факторы играют доминирующую роль в механизме разрушения металлизации интегральных схем из-за электромиграции. С учетом результатов проведенных исследований для успешного применения алюминиевой металлизации в технологии сверхбольших интегральных схем даны определенные рекомендации, в том числе по переходу с технологии напыления на осаждение из паровой фазы.
Мустафаев Г.А., Панченко В.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г. - Влияние технологических факторов на дефектность структур кремний на сапфире c. 7-15

DOI:
10.7256/2453-8884.2017.1.22388

Аннотация: Структуры кремний на сапфире являются основой для производства радиационно-стойких интегральных схем, что в первую очередь важно для космической промышленности, атомной энергетики и военного применения. В работе проведено исследование механизма гетероэпитаксии кремния на сапфире, для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Методом резерфордовского обратного рассеяния изучены эпитаксиальные слои кремния выращенные на сапфировой подложке. При помощи Оже анализа определен состав и глубина переходного слоя кремний-сапфир. Определено, что связь между кремнием и сапфиром осуществляется через тетраэдрически координированный кислород. В эпитаксиальных слоях наблюдается увеличение дефектности в тех областях спектра, которые соответствуют промежуточной области между слоем кремния и сапфировой подложкой, и дают максимальный вклад в каналирование ионов. Учет неупорядоченного характера строения перехода кремний-сапфир позволяет установить причинную связь между зарядом на границе в структуре кремний на сапфире и током утечки полевого транзистора. Разработан способ создания полупроводникового прибора с улучшенными параметрами как по токам утечки так и по плотности структурных дефектов.
Заворотнев Ю.Д. - Разработка БЭТА метода испытаний и диагностики жидких, вязких и твердых материалов, в т.ч. с огнезащитными покрытиями (проект 2012-220-03-247) c. 96-118

DOI:
10.7256/2453-8884.2016.2.20954

Аннотация: С 2010 года Правительство РФ организовало конкурс по финансированию научно-исследовательских работ под руководством «ведущих зарубежных ученых», целью которых, помимо достижения результатов исследований мирового уровня, являлось создание «лабораторий мирового уровня» при ВУЗах.Уже в 2010 году реализация «Постановления 220» практически захлебнулась, т.к. на конкурс пришло 512 проектов, а «денег хватило» только на 40 победителей. При этом в Москве оказалось 15 «победителей», в Санкт-Петербурге – 6, в Н.Новгороде-4, в Новосибирске и Томске – по 3.В 2011 году «история повторилась»: на конкурс пришло 517 проектов, а денег хватило на 39, среди которых в Москве «победили» 14 проектов, в Санкт-Петербурге – 5, в Н.Новгороде и в Новосибирске – по 3, и в Томске – 1.В 2012 году на конкурс пришло почти в полтора раза больше проектов – 719, а финансирования хватило на 42 победителя, среди которых опять Москва (15), Питер (5), Н.Новгород и Томск по 2, и 6 Институтов СО РАН. Вполне естественно возникает вопросы: Куда делись около 1500 проектов, которые не были поддержаны? Неужели они действительно были «не достойны» государственного финансирования? В настоящей статье описывается проект конкурса 2012 года № 2012-220-03-247, в котором под руководством д.ф.-м.н. Завjротнева Ю.Д. из Донецкого физико-технического института НАН Украины, предлагалось создать баро-электро-термо-акустический (БЭТА) анализатор, не имеющей мировых аналогов, и превосходящий по своим функциональным возможностям все существующие сегодня установки синхронного термического анализа (СТА), а также межведомственную лабораторию на базе Донского государственного технического университета.
Другие сайты издательства:
Официальный сайт издательства NotaBene / Aurora Group s.r.o.
Сайт исторического журнала "History Illustrated"